当前股价
62.30 港元
2025-09-19 +2.30%
短期目标价
68-72 港元
+9.15%至+15.57%
中期目标价
80-85 港元
+28.41%至+36.44%
长期目标价
95-100 港元
+52.49%至+60.51%
天岳先进（02631.HK）作为全球碳化硅（SiC）衬底领域的领军企业，其股价表现近期受到市场广泛关注。截至 2025 年 9 月 19 日，公司股价报收 62.30 港元，较前一交易日上涨 2.30%。基于行业趋势与公司基本面分析，本报告对其短中长期股价走势作出预判。
作为国内首家实现"A+H"双平台布局的碳化硅衬底企业，天岳先进于 2025 年 8 月 20 日正式登陆港交所主板，此次上市引发市场热烈反响，散户超额认购倍数超 2,800 倍，国际配售获多家产业及金融资本抢筹。公司 2024 年全球碳化硅衬底市占率达 22.8%，跻身全球第一梯队，产品广泛应用于新能源汽车、充电桩、光储及数据中心等领域。
值得注意的是，碳化硅行业正处于技术迭代与格局重塑的关键期：一方面，AI 驱动下全球半导体产业规模预计 2030 年突破万亿美元，中国半导体设备投资占比将达 31%，为第三代半导体材料创造广阔需求空间；另一方面，2025 年以来 SiC 芯片价格出现雪崩式下降，6 英寸衬底均价较去年同期下降 40%，行业面临产能过剩与技术升级（如 8 英寸衬底技术）的双重挑战。
天岳先进成立于2010年，总部位于山东济南，是全球领先的碳化硅（SiC）衬底材料供应商，专注于宽禁带半导体材料的研发、生产与销售。公司2022年1月登陆A股科创板（688234.SH），成为国内碳化硅衬底领域唯一上市公司，并于2025年8月19日在港交所上市（02631.HK），形成"A+H"双资本平台布局。
根据法国Yole及日本富士经济报告，公司2024年导电型碳化硅衬底全球市占率达22.8%，位列全球第二；半绝缘型衬底市占率全球前三，综合市占率稳居全球前三。
技术壁垒方面，公司首创液相法制备8英寸碳化硅衬底，成本较传统气相法降低40%，并于2024年11月推出全球首款12英寸产品，形成6/8/12英寸全尺寸产品矩阵。
公司核心产品分为导电型与半绝缘型碳化硅衬底，覆盖新能源、通信、AI等战略领域：
| 指标 | 2022年 | 2023年 | 2024年 | 2025年上半年 |
|---|---|---|---|---|
| 营业收入（亿元） | 4.17 | 12.51 | 17.68 | 7.94 |
| 同比增长率 | - | +199.9% | +41.37% | -12.98% |
| 归母净利润（亿元） | -1.76 | -0.46 | 1.79 | 0.11 |
| 同比增长率 | - | +73.9% | +491.56% | -89.32% |
风险提示：2025年上半年净利润同比下滑89.32%，主要因研发费用（+34.94%）及管理费用（+28.6%）增加，叠加产品平均单价下降5.2%。短期业绩承压或影响现金流，但长期技术投入有望巩固全球竞争优势。
天岳先进在碳化硅衬底技术领域持续突破，已形成6/8/12英寸全尺寸产品矩阵，涵盖导电型（P型、N型）与高纯半绝缘型衬底，其中8英寸导电型衬底已实现批量供应，2025年一季度出货量同比增长14.75%，并推动行业8英寸衬底市占率提升至14.77%。
2024年11月，公司发布全球首款12英寸碳化硅衬底，在大尺寸化领域确立先发优势，其高质量低阻P型衬底可加速SiC-IGBT器件发展，推动特高压功率器件国产化进程。
工艺层面，公司掌握液相法长晶技术，相较传统气相法可降低生产成本40%，且上海临港工厂已于2024年年中提前达成年产30万片导电型衬底产能目标，与济南工厂合计设计产能突破40万片，为技术落地提供产能支撑。
公司通过技术协作与商业合作双轮驱动，客户结构持续向高端化、国际化升级。2025年8月，与东芝电子元件达成基本协议，围绕SiC功率半导体特性提升与品质改善开展技术协作，目标扩大高品质衬底稳定供应。
截至2025年6月末，公司已与全球前十大功率半导体制造商中半数以上建立合作，包括英飞凌、博世、安森美等国际巨头，车规级衬底订单金额超5亿元，并通过下游客户间接进入英伟达AI算力基础设施供应链。
2025年一季度全球AI眼镜出货量同比增长82.3%，公司已成功制备专用SiC晶体及衬底并实现销售，9月因该业务新增"AI眼镜"概念，有望受益于消费电子智能化浪潮。
公司已切入英伟达GPU电源模块供应链，提供碳化硅二极管以满足高效电源需求；更长远看，碳化硅在先进封装中介层领域潜力巨大。
从相对强弱指标（RSI）来看，天岳先进（02631.HK）近期呈现典型的超卖反弹特征。截至2025年9月17日，14日RSI指标录得28.0，进入传统超卖区间（30以下），显示短期股价调整过度，技术面存在反弹需求。
市场情绪随后快速修复，9月19日股价反弹至62.30港元，较9月17日低点58.55港元回升6.4%，成交量同步放大至44312万港元，换手率达6.78%，验证了超卖后的反弹动能。
MACD指标呈现中期趋势与短期动能的分化特征。从趋势结构看，DIF线（12日EMA）与DEA线（26日EMA）已在零轴上方形成金叉，理论上确认中期上涨趋势的启动。
但细节显示，金叉形成后红柱并未持续放大，反而出现缩短迹象，表明多头动能释放力度减弱，短期存在回调压力。
支撑位：
52.9港元（60日均线，中期趋势生命线）
压力位：
65港元（9月19日高点65.85港元附近，短期多空博弈焦点）
若股价回调至52.9港元附近且量能萎缩，或形成二次上车机会；若突破65港元且MACD红柱再度放大，有望打开上行空间。
短期预测
68-72 港元
1个月目标价
+9.15%至+15.57%
RSI超卖反弹驱动，机构资金配置影响
中期预测
80-85 港元
3个月目标价
+28.41%至+36.44%
东芝合作产能释放，8英寸衬底量产
长期预测
95-100 港元
6个月目标价
+52.49%至+60.51%
12英寸衬底商业化突破，新兴应用拓展
| 机构 | 评级 | 目标价（A股/元） | 预测逻辑 |
|---|---|---|---|
| 中信证券 | 买入 | 66.00 | 8英寸产能释放+AI数据中心需求 |
| 中国银河 | 买入 | 70.23 | 12英寸技术溢价+AR眼镜增量 |
| 华鑫证券 | 买入 | - | SiC中介层材料升级潜力 |
风险提示：目标价实现受多重因素影响，包括宏观经济波动导致下游需求不及预期、行业政策调整（如碳化硅衬底进出口关税变化）、12英寸衬底商业化进程延迟等。投资者需密切关注产能释放进度与技术转化效率，理性评估估值合理性。
综合机构评级与市场分析，天岳先进获得中邮证券、国金证券、太平洋证券等7家机构"买入"评级，近六个月机构评级以积极为主（7家"买入"、2家"推荐"、1家"优于大市"、1家"增持"），综合评分为67-68分，整体评估宜逢低增持。
短期交易策略：
建议在 55 - 58 港元区间低吸，止损设置为 52 港元，以控制短期市场波动风险。
长期配置逻辑：
核心看好碳化硅（SiC）衬底在新能源汽车电驱系统及 AI 算力基础设施领域的渗透率提升趋势，建议长期持有并重点跟踪 12 英寸衬底切磨抛技术突破及量产进展。
市场竞争与价格风险
行业竞争加剧可能导致 6/8 英寸衬底降价超预期，叠加 SiC 中介层市场导入的降本压力，或对公司盈利能力造成下滑风险。
研发与产能风险
12 英寸衬底技术突破不及预期、产能良率提升缓慢，可能延缓产品迭代节奏；新能源汽车销量不及预期则可能削弱下游需求。
外部环境风险
地缘政治及国际贸易政策变化可能影响供应链稳定性，限售股解禁也可能对短期股价形成流动性压力。
天岳先进作为全球第二大碳化硅衬底制造商及国内行业龙头，凭借技术壁垒与新兴应用的双轮驱动，已展现出全球龙头潜质。公司在技术层面构建了显著优势，8 英寸衬底实现批量交付且产能利用率达 97.6%，12 英寸衬底完成技术突破并获国际认证，叠加液相法工艺带来 40%成本优化及超 500 项专利的全流程自研能力，形成难以复制的竞争壁垒。
在应用领域，公司不仅受益于新能源汽车、电网等传统市场的稳健增长，更在 AI 数据中心、AR 眼镜等新兴场景打开第二增长曲线，全球前十大功率半导体厂商中逾半数已成为其客户，境外收入占比近半，为全球化扩张奠定基础。
2025 年 Q3 业绩发布会（10 月中旬）将披露 8 英寸产能释放进度与东芝等大客户合作进展，12 英寸衬底客户验证结果及行业价格数据变化需持续跟踪，上述因素将直接影响短期股价表现与长期估值逻辑。